火線話題-海力士NAND Flash製程轉進48奈米 宣示意味恐大於實質效果!

2007-12-20   洪毓穗/DIGITIMES

南韓記憶體大廠海力士(Hynix)日前宣稱已成功研發48奈米製程MLC(Multi-Level Cell) NAND 型快閃記憶體(Flash)晶片,並將於2008年第1季開始量產,初期月產能約2萬片左右。此消息一宣布,引起NAND Flash業界議論紛紛。

主因海力士在NAND Flash製程技術上,一向較三星電子(Samsung Electronics)與東芝(Toshiba)慢約1個世代,隨著NAND Flash產業競爭日趨白熱化,為能與競爭對手站在相近的起跑點上,海力士一直追趕得很辛苦,尤其在2007年NAND Flash製程進入50奈米製程世代後,為奮力扭轉落後局勢,海力士積極投入大量人力與資金研發57奈米製程技術,並終於在第4季開始量產,算是勉強擠進與三星、東芝同一個製程世代中。

回顧2007年上半各大廠轉進50奈米製程時,普遍面臨導入不順的問題,直到第3季末產能才順利大量開出,隨著NAND Flash製程愈微縮,導入的困難度也愈高,連過去在技術方面一直處於領先的東芝與三星,都坦承其45奈米製程要到2008年第1季才可能開發完成,且最快必須到2008年第3季才可能開始量產。如今一向在技術上處於落後的海力士突然跳出來對外宣稱其已完成48奈米製程的開發,並較東芝及三星提早半年進行量產,不禁引起外界一陣譁然。
  
就技術上來看,NAND Flash製程技術一向以東芝及三星馬首是瞻,海力士的角色比較像是追隨者,並無太突出的表現,甚至在60奈米製程的導入階段即已遇到些麻煩,花了好一番功夫才克服;然在短短半年的時間,海力士一下子從60奈米製程跨入50奈米製程,又在50奈米製程量產不到1季的時間,將製程技術推進到48奈米製程,若不是內部出現不同於以往的超強研發團隊,著實令人匪夷所思,且就算其的確成功研發48奈米製程NAND Flash,屆時是否能夠順利量產,也將是業界關注焦點。

不過,日前海力士執行長金鍾甲對外表示,看好筆記型電腦(NB)內建固態硬碟(Solid State Disk)所帶來的NAND Flash商機,2008年起海力士將致力於提升NAND Flash市佔率,計劃在未來5年內拿下全球30%的NAND Flash市場,可見其除欲在DRAM領域打敗三星,也想在NAND Flash領域超越東芝,挑戰三星的霸主地位。海力士選在2008年即將來臨之際,對外宣布轉進48奈米製程,宣示意味十分濃厚。

然以產品組合來看,相較2007年底東芝、三星50奈米製程NAND Flash分別達出貨比重的50%與40%,海力士的57奈米製程產品佔NAND Flash出貨比重不到20%,仍有近8成集中在60奈米製程產品,2008年若改以48奈米製程取代57奈米製程進行投產,以月產能2萬片的規模,佔海力士NAND Flash總產能約在25%左右,預估剩下75%仍將以60奈米製程產品提供;加上海力士在產能調配上,目前仍以DRAM為主軸。

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